- Oggetto:
- Oggetto:
Fisica dei semiconduttori
- Oggetto:
Anno accademico 2009/2010
- Codice dell'attività didattica
- S8171
- Docente
- Prof. Ettore Vittone (Titolare del corso)
- Corso di studi
- c211 laurea spec. in fisica delle tecnologie avanzate
- Anno
- 2° anno
- Periodo didattico
- Primo periodo didattico
- Tipologia
- A=Di base
- Crediti/Valenza
- 6
- SSD dell'attività didattica
- FIS/03 - fisica della materia
- Oggetto:
Sommario insegnamento
- Oggetto:
Obiettivi formativi
Fornire le conoscenze di base della fisica dei più importanti dispositivi elettronici, dei materiali semiconduttori nanostrutturati e delle tecniche di fabbricazione dei microdispositivi- Oggetto:
Programma
Semiconduttori nanostrutturati: tecniche di fabbricazione, litografia da fascio elettronico, transistor ad elettrone singolo.
Fisica dei maggiori dispositivi elettronici a semiconduttore: JFET, MESFET, MOSFET
Tecniche di fabbricazione del silicio per la microelettronica.
Il corso prevede cicli di seminari tenuti da esperti nel campo delle nanotecnologie e da personale dei dipartimenti R&D di importanti ditte operanti nel campo dei dispositivi a semiconduttore. Al termine del corso è prevista una visita presso gli stabilimenti della STMicroelectronics di Agrate Brianza.
Informazioni sul corso sono disponibili nel sito
http://www.dfs.unito.it/solid/Didattica/Fisica_Semiconduttori/index_semiconduttori_09-10.html
Nanostructured semiconuctors: fabrication techniques, electron beam lithography, Single electron transistor
Physics of the most important semiconductor devices: JFET, MESFET, MOSFET.
Machinining techniques of silicon for the fabrication of devices of the microelectronics
The course provides seminars of experts in the field of nanotechnology and from R&D department of important semiconductor industries. A visit at the STMicroelectronics factory in Agrate Briaza will be held at the end of the course.
More details in
http://www.dfs.unito.it/solid/Didattica/Fisica_Semiconduttori/index_semiconduttori_09-10.html
Testi consigliati e bibliografia
- Oggetto:
- [1] S.M.Sze, "Semiconductor Devices, Physics and Technology, 2nd edition", John Wiley and Sons, USA, 2002
[2] A.S.Grove, "Fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore", 4a edizione, Ingegneria elettrica Franco Angeli, Milano 1985
[3] M.Shur, Physics of semiconductor devices, Prentice Hall series in Solid State electronics,New Jersey, 1990 - Oggetto:
Note
la prova d'esame riguarderà la presentazione (15 minuti) da parte del candidato di un argomento trattato nel corso e di una domanda del docente.
Una settimana prima dell'appello, il candidato riceverà dal docente l'argomento da presentare- Oggetto:
Altre informazioni
http://www.dfs.unito.it/solid/Didattica/Fisica_Semiconduttori/index_semiconduttori_09-10.html- Oggetto: