- Oggetto:
- Oggetto:
Fisica dello stato solido
- Oggetto:
Anno accademico 2010/2011
- Codice dell'attività didattica
- MFN0850
- Docenti
- Prof. Claudio Manfredotti (Titolare del corso)
Prof. Ettore Vittone (Titolare del corso) - Corso di studi
- 008510-104 Laurea Magistrale in Fisica ind. Fisica delle Tecnologie Avanzate
- Anno
- 1° anno
- Periodo didattico
- Secondo periodo didattico
- Tipologia
- B=Caratterizzante
- Crediti/Valenza
- 9
- SSD dell'attività didattica
- FIS/03 - fisica della materia
- Oggetto:
Sommario insegnamento
- Oggetto:
Obiettivi formativi
Obiettivi formativi: Fornire agli studenti le nozioni fondamentali per la comprensione dei fenomeni fondamentali della dinamica elettronica e reticolare nei solidi e alle proprietà di alcune classi di materiali. Pre-requisiti in ingresso: Conoscenze della fisica di base (meccanica, elettromagnetismo, ottica) e di meccanica quantistica. Competenze attese in uscita: - Sapere descrivere il moto elettronico all’interno dei solidi dal punto di vista classico, semiclassico e quantistico - Padroneggiare le implicazioni della struttura periodica spaziale nei confronti delle onde, sia elettromagnetiche che elettroniche - Sapersi orientare all’interno di una situazione fisica relativa alla conduzione nei solidi individuando le grandezze importanti e il loro ordine di grandezza - Possedere una buona padronanza dei fenomeni fisici su cui si basano i principali dispositivi a semiconduttore. - Possedere una adeguata conoscenza delle principali proprietà elettroniche e ottiche dei materiali semiconduttori ed isolanti. - Saper applicare tali conoscenze per definire le caratteristiche opto/elettroniche e le prestazioni dei principali dispositivi elettronici e sensori a semiconduttore
- Oggetto:
Programma
MODULO 1 - 6 CFU
Strutture cristalline ed elementi di simmetria puntuale. Onde in mezzo non dispersivo e in mezzo dispersivo, velocità di gruppo. Diffrazione di neutroni ed elettroni: tecniche sperimentali per la diffrazione X e calcolo di Laue per l'ampiezza dell'onda diffusa. Reticolo reciproco e sue proprietà.
Modelli di Sommerfeld e di Drude per gli elettroni nei solidi: proprietà in regime stazionario. Distribuzione di Fermi e
potenziale chimico. Capacità termica a basse temperature. Conduzione elettrica: ipotesi di Drude sulle collisioni. Legge di Ohm. Tempo di rilassamento. Conducibilità termica e legge di Wiedemann-Franz secondo Drude e Sommerfeld. Effetto Seebeck.
Gas di Fermi in regime alternato. Conducibilità e suscettività elettriche complesse. Frequenza di plasma. Plasmoni. Lunghezza di schermo elettrostatico in approssimazione di Thomas-Fermi. Effetto Hall classico e quantistico. Magnetoresitenza trasversale. Effetto termoionico ed equazione di Richardson-Dushman. Limiti del modello a gas di Fermi
Teorema di Bloch in 1D. Impulso cristallino. Schemi della zona ridotta,estesa e ripetuta. Periodicita' delle autofunzioni e degli autovalori nello spazio k, bande di energia. Andamento delle bande e autofunzioni nel modello di Kronig-Penney.Modello ad elettroni quasi liberi in 1D. Soluzione approssimata a bordo zona. Definizione di superficie di Fermi. Superficie di Fermi per un metallo bivalente in 2D: superficie di tipo elettrone e di tipo lacuna.MODULO 2 - 3 CFU
Elementi di Fisica dei semiconduttori: teoria delle bande, elettroni e lacune nei semiconduttori.
Statistica dei portatori di carica Trasporto di elettroni e lacune. Semiconduttori in condizioni di non equilibrio: iniezione, cinetica del processo di ricombinazione, origine dei centri di
generazione, ricombinazione. Conducibilità, resistività, legge di Ohm. Significato fisico dei diagrammi a bande Sensori di luce, sensori di campo magnetico
Giunzioni p-n: Elettrostatica, caratteristiche capacità/tensione e corrente/tensione teoria del diodo ideale. Rottura della giunzione. Principi di funzionamento dei transistori bipolare a giunzione e transistori ad effetto di campo. Tecnologia dei dispositivi a semiconduttore.Il programma dettagliato è disponibile alla pagina
http://www.dfs.unito.it/solid/Didattica/LM_FISICA_Fisica_Stato_Solido_/MODULO2-3CFU/FSS-mod2_10-11.html
1st part - 6 CFU
Crystalline Structures and puntual symmetry. Waves in a non dispersive and dispersive media; group velocity. Neutron and electron diffraction: experimental techniques and Laue theory for the evaluation of the scattering wave amplitude. Reciprocal lattice.
Sommerfield and Drude models for the electrons in solids: steady state conditions. Fermi-Dirac distribution and chemical potential. Thermal capacity at low temperatures. Electrical conduction: Drude model. Ohm law; relazation time; Thermal conductivity and Wiedemann-Franz law. Seebeck effect.
Fermi gas in non stationary state. Complex conductivity and electrical susceptibility Plasma frequency, plasmons.
Electrostatic screening length within the Thomas-Fermi approximation. Classical and quantum Hall effect
Magentoresistance. Thermoionic effect and Richardson-Dushman equation. Limits of the Fermi gas model.
Bloch theorem in 1D. Crystalline momentum. Reduced and extended zone schemes.
Periodicity of the eigenfunctions and eigenvalues in the k-space; band Energy. Kronig-Penney model.
Tight binding theory. Quasi free electron model in 1 D. Approximate solution at the zone boundary. Fermi surface for a bivalent metal in 2D. Surface of electron and hole tipe.2nd part - 3 CFU
Elements of semiconductor physics: band theory, electrons and holes in the semiconductors. Statistics of charge carriers.
Transport of electrons and holes. Semiconductor in non-equilibrium condictions: injection, recombination kinetics, origin of the recombination centers.
Conductivity, resistivity, ohm law. Physical meaning of the band diagrams. Light sensors, magnetic field sensors. p-n junctions: electrostatics, C-V and I-V characteristics for an ideal diode. Junction breakdown.
Bipolar junction transistors and field effect transistors. Technology of the semiconductor devices.
Classroom exercisesTesti consigliati e bibliografia
- Oggetto:
C.Kittel, Introduzione alla Fisica dello Stato Solido, Boringhieri, (1971)
J.R.Hook, H.E.Hall, Solid State Physics, J.Wiley & Sons, (1991)
N. W. Ashcroft, N. D. Mermin, Solid State Physics, Holt, Rinehart and Winston, (1976)
S.M. Sze, “Semiconductor Devices”, 2nd edition, John Wiley and Sons, 2002
A.S.Grove: “Fisica e Tecnologia dei dispositivi a semiconduttore”, Franco Angeli editore, Milano 1993
M.Shur, “Physics of semiconductor devices”, Prentice Hall series in Solid State electronics,New Jersey, 1990 M.Guzzi, Principi di Fisica dei Semiconduttori, Hoepli, 2004
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Note
Nessuna propedeuticità obbligatoria. Frequenza non obbligatoria, ma fortemente consigliata. Modalità di esame: orale.
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Altre informazioni
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